FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

ʻO ka wehewehe pōkole:

Nā mea hana: ON Semiconductor
Māhele Huahana: Transistors – FETs, MOSFETs – Single
Pepa ʻikepili:FDD86102LZ
ʻO ka wehewehe: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
ʻO ke kūlana RoHS: RoHS Compliant


Huahana Huahana

Huahana Huahana

♠ wehewehe huahana

Atributo del producto Valor de atributo
Mea hana: onsemi
Māhele o ka huahana: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnologia: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: DPAK-3
Polaridad del transistor: N-Kula
Ka helu o nā canales: 1 Kanal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id - Corriente de drenaje continua: 42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 26 nC
ʻO ke kiʻekiʻe o ka mahana: - 55 C
Temperatura de trabajo maxima: + 150 C
Dp - Dispación de potencia : 54 W
ʻO ke kahawai Modo: Hoʻonui
Ka helu kalepa: PowerTrench
Empaquetado: Reel
Empaquetado: ʻOki lipine
Empaquetado: Huli ʻIole
Marca: onsemi / Fairchild
Hoʻonohonoho: hoʻokahi
Transconductancia hacia delante - Mín.: 31 S
Altura: 2.39 mm
Longitud: 6.73 mm
Ke ʻano o ka huahana: MOSFET
Hui: FDD86102LZ
Hiki ke hoʻopaʻa i nā mea hana: 2500
Māhele ʻāpana: MOSFET
ʻO ke ʻano o ka transistor: 1 N-Kanela
Ancho: 6.22 mm
Peso de la unidad: 0.011640 oz

  • Mua:
  • Aʻe:

  • Nā Huahana Pili